Samsung 2TB 990 EVO M.2 NVMe SSD
Product Code: MZ-V9E2T0BW
Rating: Be the first to write a review
Brand: Samsung
Product Condition: New
- ความเร็วในการอ่านสูงสุด: จนถึง 5,000MB/s *
- ความเร็วในการเขียนสูงสุด: จนถึง 4,200MB/s*
- เพิ่มประสิทธิภาพในการใช้พลังงานอย่างชาญฉลาด
- ตอบสนองความต้องการ ทุกด้าน ไม่ว่าจะเป็น การเล่นเกม, ทำธุรกิจ หรือ สร้างสรรค์งาน
ความเร็วที่ยืนหนึ่งเหนือใครอื่น
Samsung 990 EVO มอบความเร็วการอ่าน/เขียนแบบต่อเนื่องที่ดีกว่าเดิมได้สูงถึง 5,000/4,200 MB/s และความเร็วการอ่าน/เขียนแบบสุ่มที่มากถึง 700K/800K IOPS ซึ่งเร็วกว่า 970 EVO Plus 2TB ถึง 43% จึงลดเวลาการรอโหลดเกมและสามารถเข้าถึงไฟล์ขนาดใหญ่ได้อย่างรวดเร็ว
ประหยัดพลังงานกว่าเดิม
รวดเร็วทันใจและใช้งานได้อย่างต่อเนื่อง ด้วยการประหยัดไฟที่ยอดเยี่ยมกว่ารุ่นเดิมถึง 70% คุณจะสามารถประมวลผลได้นานขึ้นโดยไม่ต้องกังวลเรื่องอายุแบตเตอรี่ ยิ่งไปกว่านั้น ผลิตภัณฑ์ยังรองรับกับ Modern Standby ที่จะช่วยให้คุณยังเชื่อมต่ออินเทอร์เน็ตและรับการแจ้งเตือนได้แม้ว่าไฟจะเหลือน้อยแล้วก็ตาม
โซลูชันสู้ความร้อนอัจฉริยะ
แถบกระจายความร้อนของ 990 EVO ช่วยควบคุมความร้อนของชิป NAND ได้ ส่วนอัลกอริทึมควบคุมความร้อนอันล้ำสมัยของ Samsung ที่ทำงานร่วมกับ Dynamic Thermal Guard นั้นก็ช่วยรับประกันได้ถึงสมรรถนะที่ต่อเนื่องและวางใจได้ เพื่อให้ได้สมรรถนะที่ร้อนแรงที่ไม่ทำให้ไดรฟ์คุณร้อนเกินไป
ใช้ได้อเนกประสงค์ทุกที่คุณต้องการ
ทำทุกงานได้ด้วย SSD เดียว ยกระดับสมรรถนะของคุณเพื่อตอบโจทย์ความต้องการในการเล่นเกม, ธุรกิจ และผลงานสร้างสรรค์ ด้วยการรองรับกับอินเทอร์เฟซใหม่ล่าสุดอย่าง PCIe 4.0 x4 และ PCIe 5.0 x2 ผลิตภัณฑ์จึงมีความยืดหยุ่นสำหรับการประมวลผลในปัจจุบันและอนาคต คุณจึงสามารถยืนหนึ่งได้ด้วย SSD อเนกประสงค์ชิ้นนี้
คุณสมบัติสินค้า
- ความจุ : 2TB
- ขนาดไดรฟ์ : M.2 2280
- ความเร็วในการอ่านสูงสุด : 5000MB/s*
- ความเร็วในการเขียนสูงสุด : 4200MB/s*
- อินเทอร์เฟซ : PCIe 4.0 x4
- มิติ: 80 x 22 x 2.38 mm
- การรับประกัน : รับประกัน 5 ปี
คุณสมบัติพิเศษ
TRIM Support Supported
S.M.A.R.T Support Supported
GC (Garbage Collection) Auto Garbage Collection Algorithm
Encryption Support AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
WWN Support Not supported
Device Sleep Mode Support Yes
ผลงาน
อ่านตามลำดับจนถึง 5,000 MB/s *
เขียนตามลำดับจนถึง 4,200 MB/s *
สุ่มอ่าน (4KB, QD32) Up to 700,000 IOPS *
สุ่มเขียน(4KB, QD32) Up to 800,000 IOPS *
สุ่มอ่าน (4KB, QD1) Up to 20,000 IOPS *
สุ่มเขียน (4KB, QD1) Up to 90,000 IOPS *
สิ่งแวดล้อม:
Average Power Consumption (system level) *Average: Read 5.5 W / Write 4.7 W*
Power consumption (Idle) Typical 60 mW *
Power Consumption (Device Sleep) Typical 5 mW *
การกำหนดค่า
แรงดันไฟฟ้าที่อนุญาต: 3.3 V ± 5 %
ความน่าเชื่อถือ: (MTBF) 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
อุณหภูมิในการทำงาน: 0 – 70 ℃ Operating Temperature
ช็อก: 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
* จากการทดสอบภายในของ Samsung ประสิทธิภาพอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์และการกำหนดค่า
* การใช้พลังงานจริงอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับฮาร์ดแวร์ระบบและการกำหนดค่า
Customer Reviews
No Reviews Posted Yet - be the first! (write review)